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SiZ902DT
Vishay Siliconix
CHANNEL-1 TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
60
50
40
V GS = 10 V thr u 4 V
20
16
30
V GS = 3 V
12
T C = 25 °C
8
20
10
4
T C = 125 °C
0
V GS = 2 V
0
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0.014
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
1200
1000
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.012
0.010
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
8 00
600
C iss
400
0.00 8
0.006
200
0
C rss
C oss
0
10
20
30
40
50
60
0
5
10 15 20 25
30
10
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.7
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
6
I D = 13. 8 A
V DS = 15 V
1.6
1.5
1.4
1.3
I D = 13. 8 A
V GS = 10 V ; 4.5 V
4
2
0
V DS = 7.5 V
V DS = 24 V
1.2
1.1
1.0
0.9
0. 8
0.7
0
3
6 9 12
15
- 50
-- 25
0 25 50 75 100
125
150
www.vishay.com
4
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 63465
S11-2380 Rev. B, 28-Nov-11
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